高真空磁控溅射薄膜沉积系统采购需求
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总投资 | 建设年限 | ||
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审批时间 | 审批结果 | ||
建设内容 |
天津大学 - 竞价公告 (CB100562023000476)
发布时间:2023-06-26 13:40:49 截止时间:2023-06-28 09:00:00
基本信息:
申购主题:高真空磁控溅射薄膜沉积系统
报价要求:国产含税
发票类型:增值税专用发票
付款方式:货到验收合格后付款
送货时间:合同签订后7天内送达
安装要求:免费上门安装(含材料费)
预算:****** 人民币
收货地址:天津市/****
备注说明:
采购明细:
序号 | 采购内容 | 数量/单位 | 预算单价 | 品牌 | 型号 | 规格参数 | 质保及售后服务 | 附件 |
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1 | 高真空磁控溅射薄膜沉积系统 | 1 | 沈阳科仪 | TRP450 | (1)设备由进样室、溅射真空室、磁控溅射靶、旋转加热基片台、退火炉、反溅靶、磁力送样机构、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 (2)溅射室极限真空度:≤6.67E-6 Pa。进样室极限真空度:≤6.67E-4 Pa。 (3)磁控溅射靶组件:3套,其中一套为强磁靶。靶材尺寸为2英寸。靶配有屏蔽罩,以避免靶材之间的交叉污染。靶与样品距离 90~130mm可调。 (4)包含2台 500W 直流溅射电源和1台 500W 射频溅射电源。 (5)样品台大小为4英寸;可旋转,转速为每分钟 5-20 转 连续可调;可加热,加热温度为室温至 800°C 连续可调;样品台配有独立挡板;样品台安装-200V偏压电源。 (6)进样室可作为退火炉使用,对基片加热最高温度 800°C±1°C,由热电偶闭环反馈控制,样品4英寸。进样室与溅射室共用一个加热电源,切换使用。 (7)工作气路:共 3 路进气,具有质量流量控制器和混气室。 | 按行业标准提供服务(提供本地化安装调试及售后服务) |