表面处理设备（JJ2017111500）网上竞价公告
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| 项目名称 | 省份 | ||
| 业主单位 |
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业主类型 | |
| 总投资 | 建设年限 | ||
| 建设地点 | |||
| 审批机关 | 审批事项 | ||
| 审批代码 | 批准文号 | ||
| 审批时间 | 审批结果 | ||
| 建设内容 | |||
延期信息
延期理由：由于该项目参与竞价供应商数量不满足相关规定，本项目延期至2017-10-17 15:00
项目名称：表面处理设备
项目编号：JJ2017111500
采购单位：四川大学
联系人：中标后在我参与的项目中查看
联系电话：中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求：
到货时间要求：
预算总价：登录即可免费查看
收货地址：四川大学望江校区一环路南一段24号原子核科学技术研究所
供应商资质要求：符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件
采购商品:真空镀膜和低能离子处理多功能真空套机
采购数量:1
计量单位:套
预算单价:登录即可免费查看
技术参数及配置要求:包含以下器件套装，并能实现以下功能。
真空和温控件：
1.真空室，Φ500mm×450mm，不锈钢双层水冷结构。
2.真空抽气系统，极限真空为2×10E-4Pa，真空度在空载情况下30min达到2×10E-3Pa，且抽到高真空后停泵关机12小时后真空度优于5Pa。
3.冷水机，冷水机组，5P。
4.空压机，无油静音空压机。
5.环境加热及温控系统，真空室的环境温度最高加热到300℃，采用温控仪对其进行自动控温。
6.供气系统两套，七星华创质量流量计和高真空截止阀，实现对离子源和真空室的供气。
7.控制系统，整套系统采用手动控制模式，功能包括：真空抽气与测量、供气、工件运动及加热、电源控制、参数设置及联锁保护等。
功能件：
8.磁过滤脉冲金属真空弧等离子体源及电源，双层水冷90度弯管，脉冲宽度在200μs～3ms范围可调，频率为0～50Hz，弧压0～100V，弧流脉冲大于150A；阴极尺寸Ф10mm
9.负高压脉冲电源，电压0.5-10kV，频率1～2000Hz，脉冲宽度5～100μs，最大脉冲峰值电流20A，最大平均输出电流20mA。频率和脉宽分别单独可调，可独立工作。
10.霍尔离子源及电源，采用国产中频离子源电源，功率1KW，脉冲频率80kHz。
11.射频磁控溅射靶，圆形间接水冷磁控溅射靶，靶材直径4英寸。
12.霍尔离子源及电源，采用国产中频离子源电源，功率1KW，脉冲频率80kHz。
13.考夫曼离子源，考夫曼离子源由本单位提供，投标方负责测量和安装到新设备上。
14.样品台1，水平放置，台面尺寸为Φ100mm；可伸缩，伸缩范围200mm；可加热，最高温度500℃；可电动旋转；对地绝缘，耐压大于3kV；承重大于1kg。
15.样品台2，水冷旋转负高压工件台，台面尺寸为Φ150mm；对地绝缘，耐压大于15kV；承重大于5kg。
满足功能要求：
16. 样品台1上可以使用磁过滤脉冲金属真空弧等离子体源和射频磁控溅射源沉积薄膜，尽量兼顾霍尔离子源清洗活化，可同时加热。
17. 样品台2上通过旋转可以进行磁过滤脉冲金属真空弧等离子体沉积和注入、射频磁控溅射沉积、霍尔离子源清洗活化、考夫曼离子源溅射4项功能。
18. 负高压脉冲电源可与磁过滤脉冲金属真空弧同步、同脉宽或不同脉宽工作。
详情请访问原网页！
延期理由：由于该项目参与竞价供应商数量不满足相关规定，本项目延期至2017-10-17 15:00
项目名称：表面处理设备
项目编号：JJ2017111500
采购单位：四川大学
联系人：中标后在我参与的项目中查看
联系电话：中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求：
到货时间要求：
预算总价：登录即可免费查看
收货地址：四川大学望江校区一环路南一段24号原子核科学技术研究所
供应商资质要求：符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件
采购商品:真空镀膜和低能离子处理多功能真空套机
采购数量:1
计量单位:套
预算单价:登录即可免费查看
技术参数及配置要求:包含以下器件套装，并能实现以下功能。
真空和温控件：
1.真空室，Φ500mm×450mm，不锈钢双层水冷结构。
2.真空抽气系统，极限真空为2×10E-4Pa，真空度在空载情况下30min达到2×10E-3Pa，且抽到高真空后停泵关机12小时后真空度优于5Pa。
3.冷水机，冷水机组，5P。
4.空压机，无油静音空压机。
5.环境加热及温控系统，真空室的环境温度最高加热到300℃，采用温控仪对其进行自动控温。
6.供气系统两套，七星华创质量流量计和高真空截止阀，实现对离子源和真空室的供气。
7.控制系统，整套系统采用手动控制模式，功能包括：真空抽气与测量、供气、工件运动及加热、电源控制、参数设置及联锁保护等。
功能件：
8.磁过滤脉冲金属真空弧等离子体源及电源，双层水冷90度弯管，脉冲宽度在200μs～3ms范围可调，频率为0～50Hz，弧压0～100V，弧流脉冲大于150A；阴极尺寸Ф10mm
9.负高压脉冲电源，电压0.5-10kV，频率1～2000Hz，脉冲宽度5～100μs，最大脉冲峰值电流20A，最大平均输出电流20mA。频率和脉宽分别单独可调，可独立工作。
10.霍尔离子源及电源，采用国产中频离子源电源，功率1KW，脉冲频率80kHz。
11.射频磁控溅射靶，圆形间接水冷磁控溅射靶，靶材直径4英寸。
12.霍尔离子源及电源，采用国产中频离子源电源，功率1KW，脉冲频率80kHz。
13.考夫曼离子源，考夫曼离子源由本单位提供，投标方负责测量和安装到新设备上。
14.样品台1，水平放置，台面尺寸为Φ100mm；可伸缩，伸缩范围200mm；可加热，最高温度500℃；可电动旋转；对地绝缘，耐压大于3kV；承重大于1kg。
15.样品台2，水冷旋转负高压工件台，台面尺寸为Φ150mm；对地绝缘，耐压大于15kV；承重大于5kg。
满足功能要求：
16. 样品台1上可以使用磁过滤脉冲金属真空弧等离子体源和射频磁控溅射源沉积薄膜，尽量兼顾霍尔离子源清洗活化，可同时加热。
17. 样品台2上通过旋转可以进行磁过滤脉冲金属真空弧等离子体沉积和注入、射频磁控溅射沉积、霍尔离子源清洗活化、考夫曼离子源溅射4项功能。
18. 负高压脉冲电源可与磁过滤脉冲金属真空弧同步、同脉宽或不同脉宽工作。
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