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PECVD是腔室在低压高温条件下,通入反应气体,形成等离子体,进行化学反应,在硅片表面淀积薄膜。PECVD主要用于产品中二氧化硅、氮化硅的制备。资金到位或资金来源落实情况
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序号服务内容服务期限1基于MEMS加工工艺制作谐振腔,通过光刻、外延、薄膜淀积、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装为基本工艺步骤来制造。按以上工艺流程开发
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ZKX20240424A004项目名称:淀积前清洗机招标人:中国电子科技集团公司第四十四研究所招标代理机构:中科信工程咨询(北京)有限责任公司中标人
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双城牧场现有在用调节池1座,从建场至今未进行清理,搅拌器已经被深埋起不到应有效果,造成沉淀积压,有效容积降低,不利于日常进行调节池内部粪污浓度调节。清理要求
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ZKX20240424A004项目名称:淀积前清洗机招标人:中国电子科技集团公司第四十四研究所招标代理机构:中科信工程咨询(北京)有限责任公司评标结果
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将企业数据进行清洗、加工、关联、存储,形成企业数据资源的沉淀积累,最终形成数据可视化分析,辅助企业开展决策、管理、生产等工作,让数据产生价值
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PECVD是腔室在低压高温条件下,通入反应气体,形成等离子体,进行化学反应,在硅片表面淀积薄膜。PECVD主要用于产品中二氧化硅、氮化硅的制备。资金到位或资金来源落实情况
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积累了丰富的技术维护和云资源管理经验。同时,经过多年运行,平台已在原供应商的云平台上沉淀积累了大量业务数据。综合考虑企业资质、专业优势、服务能力和运维成本等因素
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PECVD是腔室在低压高温条件下,通入反应气体,形成等离子体,进行化学反应,在硅片表面淀积薄膜。PECVD主要用于产品中二氧化硅、氮化硅的制备。资金到位或资金来源落实情况
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24-00011528第2次安徽电力股份有限公司淮南田家庵发电分公司2024年煤场沉淀积煤池及周围排水沟清理询价采购采购结果公告一、采购单编号:P-XJ-24
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序号服务内容服务期限1基于MEMS加工工艺制作Fabry-Perot谐振腔,通过光刻、外延、薄膜淀积、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装为基本工艺步骤来制造
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招标条件本招标项目淀积前清洗机招标人为中国电子科技集团公司第四十四研究所,招标项目资金来自国拨资金,出资比例为100%。该项目已具备招标条件
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24-00011528第2次安徽电力股份有限公司淮南田家庵发电分公司2024年煤场沉淀积煤池及周围排水沟清理询价采购三、报价截止时间:2024-04-1117:00四
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ZKX20240429A028项目名称:介质层淀积设备(SIH4+TEOS)招标人:中国电子科技集团公司第二十四研究所招标代理机构
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00011528二、采购单名称:安徽电力股份有限公司淮南田家庵发电分公司2024年煤场沉淀积煤池及周围排水沟清理询价采购三、报价截止时间:2024-03-2617:00四
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序号产品描述采购数量计量单位税率需用日期交货地点采购需求单位行项目备注1024年煤场沉淀积煤池及周围排水沟清理1项9%2024-04-30安徽省,淮南市
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招标条件本招标项目介质层淀积设备(SIH4+TEOS)招标人为中国电子科技集团公司第二十四研究所,招标项目资金来自自筹资金,出资比例为100%
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中国电子科技集团公司第十三研究所感应离子耦合化学气相淀积台采购项目中国电子科技集团公司第十三研究所感应离子耦合化学气相淀积台采购项目进行单一来源采购,现将成交结果公示如下
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中标候选人公示中国电子科技集团公司第十三研究所感应离子耦合化学气相淀积台采购(三次)中标候选人公示中国电子科技集团公司第十三研究所感应离子耦合化学气相淀积台采购
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招标条件本招标项目介质层淀积设备(SIH4)【重新招标】招标人为中国电子科技集团公司第二十四研究所,招标项目资金来自国拨资金
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招标条件本招标项目介质层淀积设备(SIH4+TEOS)招标人为中国电子科技集团公司第二十四研究所,招标项目资金来自自筹资金,出资比例为100%
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招标条件本招标项目介质层淀积设备(TEOS)【重新招标】招标人为中国电子科技集团公司第二十四研究所,招标项目资金来自国拨资金
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BPSG回流炉主要用于8英寸半导体集成电路硅片制造流程中BPSG回流工艺,使淀积的BPSG薄膜更加致密以及平坦。2.5交货地点
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招标条件本招标项目AL淀积设备招标人为中国电子科技集团公司第二十四研究所,招标项目资金来自国拨资金,出资比例为100%。该项目已具备招标条件
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0722-2024FE3605HBF中国电子科技集团公司第十三研究所感应离子耦合化学气相淀积台采购二次已具备招标条件,中国远东国际招标有限公司受中国电子科技集团公司第十三研究所的委托
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0722-2024FE3605HBF中国电子科技集团公司第十三研究所感应离子耦合化学气相淀积台采购已具备招标条件,中国远东国际招标有限公司受中国电子科技集团公司第十三研究所的委托
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介质层淀积设备(TEOS)招标人:中国电子科技集团公司第二十四研究所招标代理机构:中科信工程咨询(北京)有限责任公司变更内容:原招标文件中招标编号为
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介质层淀积设备(SIH4)招标人:中国电子科技集团公司第二十四研究所招标代理机构:中科信工程咨询(北京)有限责任公司变更内容:原招标文件中招标编号为
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招标条件本招标项目介质层淀积设备(TEOS)招标人为中国电子科技集团公司第二十四研究所,招标项目资金来自国拨资金,出资比例为100%
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招标条件本招标项目介质层淀积设备(SIH4)招标人为中国电子科技集团公司第二十四研究所,招标项目资金来自国拨资金,出资比例为100%
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BPSG回流炉主要用于8英寸半导体集成电路硅片制造流程中BPSG回流工艺,使淀积的BPSG薄膜更加致密以及平坦。2.5交货地点
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有剖面点是结持性所有剖面点是新生体斑纹地下水位升降频繁的土壤否胶膜水稻土中的水耕淀积层、旱地耕作淀积层、湿润气候条件下的黏化层(如棕壤、黄棕壤、黄褐土、红壤
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无锡物联网创新中心有限公司氧化扩散炉(1250Drivein)和低压化学气相淀积设备(LP-TEOS)采购项目招标项目编号:0729-234OIT272434招标范围
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0610-2340IH011449招标范围:1WCVD设备2金属硅化物淀积设备3阻挡层金属淀积设备4平面金属淀积设备5清洗设备招标机构:北京国际招标有限公司招标人
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0610-2340IH011449招标范围:1WCVD设备2金属硅化物淀积设备3阻挡层金属淀积设备4平面金属淀积设备5清洗设备招标机构:北京国际招标有限公司招标人
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中标结果公告等离子体化学气相淀积机等设备中标结果公告(1)项目名称:等离子体化学气相淀积机等设备项目编号:2377-23423003NHNJ招标范围
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无锡物联网创新中心有限公司氧化扩散炉(1250Drivein)和低压化学气相淀积设备(LP-TEOS)采购项目项目名称(英文)
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中标候选人公示等离子体化学气相淀积机等设备项目名称:等离子体化学气相淀积机等设备招标项目编号:2377-23423003NHNJ招标范围:等离子体化学气相淀积机1套
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具体内容详见技术规范书。工作项目主要内容人天数运维大模型建模及调优以前期沉淀积累的客户投诉数据或工单作为基础数据源,支撑建立运维数智大模型并根据具体场景进行模型训练
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1金属溅射设备1台用于实现8吋半导体集成电路硅片制造流程中金属膜淀积工艺2去胶设备1台用于实现8吋半导体集成电路硅片制造流程中干法去胶工艺招标机构
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项目无锡物联网创新中心有限公司氧化扩散炉(1250Drivein)和低压化学气相淀积设备(LP-TEOS)采购项目已经结束;第1包科意半导体设备(上海)有限公司
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1台用于实现12英寸半导体集成电路硅片制造流程中W-Plug填充工艺2金属硅化物淀积设备1台用于实现12英寸半导体集成电路硅片制造流程中金属膜淀积工艺3阻挡层金
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1金属溅射设备1台用于实现8吋半导体集成电路硅片制造流程中金属膜淀积工艺2去胶设备1台用于实现8吋半导体集成电路硅片制造流程中干法去胶工艺招标机构
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变更公告等离子体化学气相淀积机等设备重新招标澄清或变更公告(1)招标项目编号:2377-23423003NHNJ项目名称:等离子体化学气相淀积机等设备项目名称(英文)
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招标公告等离子体化学气相淀积机等设备国际招标公告(2)浙江求是招标代理有限公司受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标,于2023-10-17在中国国际招标网公告
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与去胶设备采购1批金属溅射设备1台用于实现8吋半导体集成电路硅片制造流程中金属膜淀积工艺去胶设备1台用于实现8吋半导体集成电路硅片制造流程中干法去胶工艺招标编号:0610
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招标公告等离子体化学气相淀积机等设备国际招标公告(1)浙江求是招标代理有限公司受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标,于2023-10-09在中国国际招标网公告
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与去胶设备采购1批金属溅射设备1台用于实现8吋半导体集成电路硅片制造流程中金属膜淀积工艺去胶设备1台用于实现8吋半导体集成电路硅片制造流程中干法去胶工艺招标编号:0610
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可查看所有部门、处室的任务、通报、评议、问题的情况。支持查看系统年度的沉淀积累和服务贡献数据,包括年度提交任务成果总次数、发现问题总数、累计上传文档个数及大小
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2.3数量:1套。2.4设备主要用途及基本要求:基于已有型号设计基础,统一沉淀积累飞机典型设计运行模型库,实现进行快速调用,实现模型数据、标准与知识的军工行业共享